Транзистор IGBT ONSEMI FGA60N65SMD, 650В, 60А, TO3PN (набір 5 шт.)

Транзистор IGBT ONSEMI FGA60N65SMD — це напівпровідниковий прилад для потужних силових схем. Комплект із 5 одиниць у корпусі TO3PN забезпечує надійну комутацію струму до 60 А при напрузі 650 В.

• Набір із 5 транзисторів IGBT
• Напруга колектор-емітер 650 В
• Струм колектора 60 А (імпульсний 180 А)
• Потужність розсіювання 300 Вт
• Корпус TO3PN для монтажу в отвори
• Інтегрований антипаралельний діод

Потужність та струм

IGBT-транзистор працює з постійним струмом колектора 60 А та витримує імпульсний струм до 180 А. Потужність розсіювання становить 300 Вт, що вимагає належного охолодження для стабільної роботи у силових схемах.

Вбудований діод

Конструкція включає інтегрований антипаралельний діод, який спрощує схему та економить місце на платі. Це рішення особливо зручне для конструкторів, які розробляють мости або каскади з рекуперацією енергії.

Зручний монтаж

Корпус TO3PN призначений для встановлення в отвори (THT), що забезпечує механічне кріплення та потребує зовнішнього радіатора для відводу тепла. Максимальна напруга між затвором та емітером обмежена ±20 В, що вимагає дотримання параметрів керуючого сигналу.

Керування затвором

Заряд затвора становить 284 нКл, що впливає на швидкість перемикання та вимоги до драйвера. Максимальна напруга затвор-емітер ±20 В визначає допустимий рівень керуючого сигналу.

Комплектація та застосування