Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS9945, 60В, 3,5А, SO8 (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS9945 — це подвійний польовий транзистор у корпусі SO8 для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 20 одиниць, що забезпечує запас компонентів для серійного виробництва або ремонту плат.

• Подвійний N-MOSFET транзистор (N-MOSFET x2)
• Напруга дрена-джерела: 60 В
• Струм дрена: 3,5 А
• Розсіювана потужність: 2 Вт
• Опір у стані провідності: 0,17 Ом
• Корпус SO8, монтаж SMD
• Технологія PowerTrench®
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри та заряд затвора

Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 60 В та струмом дрена 3,5 А. Максимальна розсіювана потужність становить 2 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 0,17 Ом, що мінімізує втрати енергії при комутації. Загальний заряд затвора становить 13 нКл, а допустима напруга затвор-джерело — ±20 В.

Комплектація та монтаж

Компонент виготовлений за технологією PowerTrench®. Корпус SO8 та тип монтажу SMD дозволяють розміщувати транзистори на щільних друкованих платах. У комплекті постачається 20 одиниць, що зручно для серійного виробництва або створення запасу компонентів.

Полярність та канал транзистора

Транзистор є уніполярним (unipolarny) з каналом збагачувального типу (wzbogacany). Це означає, що пристрій закритий за відсутності напруги на затворі та відкривається при подачі керуючого сигналу, що є стандартною схемою для багатьох комутаційних задач.