Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDPF20N50T, 500В, 12,9А, TO220FP (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDPF20N50T — це уніполярний компонент із каналом збагачення,. Модель виготовлена за технологією DMOS UniFET™ у корпусі TO220FP із виведеннями для монтажу на плату (THT). Комплект складається з 10 одиниць, що зручно для серійного виробництва або ремонту обладнання.

• Напруга дрена-джерело: 500 В
• Струм дрена: 12,9 А (імпульсний до 80 А)
• Потужність розсіювання: 38,5 Вт
• Опір у стані провідності: 0,23 Ом
• Корпус: TO220FP, монтаж THT
• Технологія: DMOS, UniFET™
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на максимальну напругу дрена-джерело 500 В та постійний струм дрена 12,9 А. Імпульсний струм може досягати 80 А, що забезпечує надійність при короткочасних пікових навантаженнях.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна потужність розсіювання становить 38,5 Вт. Корпус TO220FP, монтаж THT.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності дорівнює 0,23 Ом.

Зручна комплектація

У наборі постачається 10 транзисторів. Максимальна напруга затвор-джерело становить ±30 В,