Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP22N50N, 500В, 13.2А, TO220AB (5 шт.)
2 000 ₴
- В наявності
- Код: TM112192
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP22N50N, 500В, 13.2А, TO220AB (5 шт.)В наявності
2 000 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP22N50N — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення,. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі TO220AB.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-витік: 500 В
- Струм стоку: 13,2 А
- Розсіювана потужність: 312,5 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Комплект: 5 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 500 В та струм стоку 13,2 А. Опір у відкритому стані становить 0,22 Ом. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 312,5 Вт.
Технологія та монтаж
Прилад виготовлений за технологією UniFET™,. Монтаж виконується методом виводів у отвори (THT),.
Комплектація
У пакеті постачання міститься 5 транзисторів FDP22N50N. Напруга затвор-витік становить ±30 В, а заряд затвора — 65 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 312.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 500 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 13.2 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 220 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | UniFET™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 000 ₴