Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP20N50F, 500В, 12,9А, TO220-3 (набір 10 шт.)
3 480 ₴
- В наявності
- Код: TM112191
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP20N50F, 500В, 12,9А, TO220-3 (набір 10 шт.)В наявності
3 480 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP20N50F — це уніполярний компонент із каналом збагачення,. Модель виготовлена за технологією DMOS, UniFET™ та поставляється у корпусі TO220-3 для монтажу на плату (THT). Комплект складається з 10 одиниць,.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 500 В
- Струм дрена: 12,9 А (імпульсний до 80 А)
- Потужність розсіювання: 250 Вт
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Технологія: DMOS, UniFET™
- Комплектація: набір із 10 транзисторів
Потужність та ефективність
Компонент працює з напругою дрена-джерела до 500 В та номінальним струмом 12,9 А. Імпульсний струм досягає 80 А,.
Теплові характеристики та опір
Максимальна потужність розсіювання становить 250 Вт,. Опір у стані провідності 0,26 Ом.
Керування та параметри затвора
Заряд затвора становить 65 нКл,. Допустима напруга затвор-джерело обмежена ±30 В,.
Монтаж та комплектація набору
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 250 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 500 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 12.9 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 260 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | DMOS, UniFET™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 480 ₴