
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN339AN, 20В, 3А, SuperSOT-3 (30 шт.)
1 960 ₴
- В наявності
- Код: TM112190
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN339AN — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для комутації струму до 3 А при напрузі 20 В. Компонент виконаний у компактному корпусі SuperSOT-3 для монтажу на поверхню плати (SMD) та виготовлений за технологією PowerTrench®.
- Струм стоку 3 А при напрузі 20 В
- Опір у відкритому стані 61 мОм
- Логічний рівень керування (logic level)
- Корпус SuperSOT-3 для SMD монтажу
- Технологія PowerTrench®
- Комплект: 30 транзисторів
Електричні параметри та комутація
Транзистор працює з напругою стік-сорс 20 В та витримує струм стоку 3 А. Опір у відкритому стані становить 61 мОм. Потужність розсіювання обмежена 0,5 Вт, а заряд затвора дорівнює 10 нКл.
Керування та логічний рівень
Компонент має логічний рівень керування (logic level). Максимальна напруга затвор-сорс становить ±8 В. Транзистор є уніполярним із каналом збагачення.
Корпус та монтаж
Використовується корпус SuperSOT-3 для поверхневого монтажу (SMD). Виготовлений за технологією PowerTrench®. У комплекті поставляється 30 одиниць.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 61 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SuperSOT-3 |
| Технологія | PowerTrench® |
- Ціна: 1 960 ₴
