Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN339AN, 20В, 3А, SuperSOT-3 (30 шт.)

1 960 ₴

  • В наявності
  • Код: TM112190
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN339AN, 20В, 3А, SuperSOT-3 (30 шт.)
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN339AN, 20В, 3А, SuperSOT-3 (30 шт.)В наявності
1 960 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDN339AN — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для комутації струму до 3 А при напрузі 20 В. Компонент виконаний у компактному корпусі SuperSOT-3 для монтажу на поверхню плати (SMD) та виготовлений за технологією PowerTrench®.

  • Струм стоку 3 А при напрузі 20 В
  • Опір у відкритому стані 61 мОм
  • Логічний рівень керування (logic level)
  • Корпус SuperSOT-3 для SMD монтажу
  • Технологія PowerTrench®
  • Комплект: 30 транзисторів

Електричні параметри та комутація

Транзистор працює з напругою стік-сорс 20 В та витримує струм стоку 3 А. Опір у відкритому стані становить 61 мОм. Потужність розсіювання обмежена 0,5 Вт, а заряд затвора дорівнює 10 нКл.

Керування та логічний рівень

Компонент має логічний рівень керування (logic level). Максимальна напруга затвор-сорс становить ±8 В. Транзистор є уніполярним із каналом збагачення.

Корпус та монтаж

Використовується корпус SuperSOT-3 для поверхневого монтажу (SMD). Виготовлений за технологією PowerTrench®. У комплекті поставляється 30 одиниць.

Характеристики
Основні
ВиробникON Semiconductor
Максимальна потужність розсіювання0.5 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік8 В
Максимально допустима напруга стік-витік20 В
Максимально допустимий струм стоку3 А
Опір у відкритому стані (Rds)61 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті30 шт.
КорпусSuperSOT-3
ТехнологіяPowerTrench®
Інформація для замовлення
  • Ціна: 1 960 ₴