Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD86102LZ, 100V, 35A, DPAK (набір 10 шт.)
2 020 ₴
- В наявності
- Код: TM112189
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD86102LZ, 100V, 35A, DPAK (набір 10 шт.)В наявності
2 020 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD86102LZ — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення. Модель виконана в корпусі DPAK для поверхневого монтажу (SMD) та реалізується набором із 10 штук.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 100 В
- Струм стоку: 35 А
- Розсіювана потужність: 54 Вт
- Опір у відкритому стані: 40 мОм
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Комплектація: набір із 10 транзисторів
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 100 В та постійний струм стоку 35 А. Опір у відкритому стані становить 40 мОм. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 54 Вт, а заряд затвора — 26 нКл.
Технологія та монтаж
Виріб виготовлено за технологією PowerTrench®. Корпус DPAK призначений для поверхневого монтажу (SMD). Напруга затвор-витік обмежена ±20 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 54 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 35 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 40 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 020 ₴