Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD3672, 100В, 44А, DPAK, комплект 10 шт.
2 000 ₴
- В наявності
- Код: TM112188
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD3672, 100В, 44А, DPAK, комплект 10 шт.В наявності
2 000 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD3672 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення. Модель виконана в корпусі DPAK для поверхневого монтажу (SMD) та реалізує технологію UltraFET®.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга стік-витік: 100 В
- Струм стіка: 44 А
- Потужність розсіювання: 135 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Опір у стані провідності: 68 мОм
- Комплектація: 10 шт.
Електричні параметри та технологія
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 100 В та струм стіка 44 А. Потужність розсіювання становить 135 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 68 мОм.
Корпус, монтаж та комплектація
Компонент виготовлений у корпусі DPAK. Тип монтажу — SMD (поверхневий). Заряд затвора становить 36 нКл, а напруга затвор-витік обмежена ±20 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 135 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 44 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 68 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | UltraFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 000 ₴