Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDC637BNZ, 20 В, 6,2 А, SuperSOT-6 (набір 40 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDC637BNZ — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD). Товар постачається набором із 40 штук у корпусі SuperSOT-6.

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 20 В
• Максимальний струм стоку: 6,2 А
• Потужність розсіювання: 1,6 Вт
• Опір у відкритому стані: 41 мОм
• Корпус: SuperSOT-6, монтаж SMD
• Технологія: PowerTrench®
• Кількість у наборі: 40 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 20 В та струм стоку 6,2 А. Потужність розсіювання становить 1,6 Вт, а опір у відкритому стані — 41 мОм. Напруга затвор-витік допускає значення ±20 В.

Технологія та монтаж

Компонент виготовлений за технологією PowerTrench®. Монтаж виконується методом SMD (поверхневий монтаж) у корпусі SuperSOT-6. Заряд затвора становить 12 нКл.

Комплектація

У комплекті постачається 40 транзисторів.