
Транзистор ONSEMI FDC6301N, N-MOSFET x2, SuperSOT-6, 25V, 0,22A (40 шт.)
2 080 ₴
- В наявності
- Код: TM112186
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор ONSEMI FDC6301N — це комплект із 40 штук подвійних N-канальних MOSFET-транзисторів у корпусі SuperSOT-6. Призначений для монтажу на поверхню (SMD).
- Комплект із 40 транзисторів
- Подвійний N-MOSFET у одному корпусі
- Корпус SuperSOT-6 для SMD монтажу
- Напруга стік-виток 25 В
- Струм стоку 0,22 А
- Потужність розсіювання 0,9 Вт
Подвійний N-канальний MOSFET
Компонент містить два N-канальних MOSFET-транзистори в одному корпусі SuperSOT-6. Канали є збагачуваними (enhancement mode).
Електричні параметри та керування
Максимальна напруга між стоком та витоком становить 25 В, а максимальний струм стоку — 0,22 А. Потужність розсіювання обмежена 0,9 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента. Опір у відкритому стані дорівнює 9 Ом. Заряд затвора становить 0,7 нКл. Напруга затвор-виток визначена як ±0,5 В та ±8 В.
Технологія та монтаж
Використовується технологія PowerTrench®. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.9 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 25 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.22 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 9000 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | SuperSOT-6 |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 080 ₴
