Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB28N30TM, 300В, 28А, D2PAK (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB28N30TM — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для комутації високої потужності. Модель розрахована на напругу 300 В та струм 28 А,.

• Струм стоку 28 А
• Напруга стік-витік 300 В
• Потужність розсіювання 250 Вт
• Опір у стані провідності 0,129 Ом
• Корпус D2PAK та монтаж SMD
• Набір із 10 штук

Висока потужність розсіювання

Транзистор здатний розсіювати до 250 Вт тепла, що дозволяє використовувати його в умовах значних навантажень. Така характеристика важлива для стабільної роботи силових ключів у інверторах та перетворювачах.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності становить 0,129 Ом, що мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи. Низький опір особливо цінний у схемах із високим струмом навантаження.

Зручний монтаж та технологія UniFET™

Компонент виготовлений за технологією UniFET™,. Монтаж виконується методом SMD,.

Надійність та параметри керування

Товар поставляється набором із 10 штук,.