Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCH104N60F, 600В, 24А, TO247 (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCH104N60F — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі TO247,.

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга дрена-джерела: 600 В
• Струм дрена: 24 А
• Потужність розсіювання: 357 Вт
• Опір у стані провідності: 0,104 Ом
• Корпус: TO247, монтаж THT
• Кількість у комплекті: 5 шт.

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на максимальну напругу дрена-джерела 600 В та струм дрена 24 А. Такі параметри дозволяють використовувати компонент у схемах з високими напругами та струмами.

Ефективне розсіювання тепла

Потужність розсіювання становить 357 Вт, Корпус TO247 та монтаж THT (скрізний монтаж).

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності дорівнює 0,104 Ом. Це значення характеризує втрати в каналі при провідності.

Зручний комплект для майстрів

Упаковка містить 5 транзисторів.

Транзистор ONSEMI FCH104N60F призначений для електронних пристроїв з високими напругами та струмами.