Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCD5N60TM, 600В, 2,9А, DPAK (набір 10 шт.)
2 020 ₴
- В наявності
- Код: TM112183
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCD5N60TM, 600В, 2,9А, DPAK (набір 10 шт.)В наявності
2 020 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCD5N60TM — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 600 В та струм 2,9 А.## Корпус та монтаж
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга дренаж-витік: 600 В
- Струм дренажу: 2,9 А
- Розсіювана потужність: 54 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Технологія: SuperFET®
- Комплектація: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор виготовлений за технологією SuperFET®. Максимальна розсіювана потужність становить 54 Вт, а опір у відкритому стані — 0,95 Ом. Напруга затвор-витік обмежена ±30 В.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі DPAK для поверхневого монтажу (SMD).У комплекті надається 10 компонентів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 54 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.9 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 950 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | SuperFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 020 ₴