Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCD4N60TM, 600В, 2,5А, DPAK (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCD4N60TM — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Товар поставляється комплектом із 10 штук у корпусі DPAK для поверхневого монтажу (SMD).

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
• Максимальна напруга стік-виток: 600 В
• Струм стоку: 2,5 А
• Розсіювана потужність: 50 Вт
• Корпус: DPAK, монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Напруга та струм

Максимальна напруга між стоком та витоком становить 600 В. Максимальний струм стоку дорівнює 2,5 А, а розсіювана потужність — 50 Вт. Напруга на затворі обмежена ±30 В, а опір у відкритому стані становить 1,2 Ом.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі DPAK. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж). Транзистор є уніполярним, що означає наявність лише одного типу носіїв заряду. Канал транзистора є збагачуваним, тобто для відкриття приладу необхідна напруга на затворі.