Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCB260N65S3, 650В, 12А, D2PAK (набір 10 шт.)
3 520 ₴
- В наявності
- Код: TM112181
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCB260N65S3, 650В, 12А, D2PAK (набір 10 шт.)В наявності
3 520 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 транзисторів ONSEMI FCB260N65S3 типу N-MOSFET у корпусі D2PAK. Компоненти призначені для роботи з напругою до 650 В та струмом 12 А,.
- Напруга стік-витік 650 В
- Струм стоку 12 А, імпульсний 30 А
- Розсіювана потужність 90 Вт
- Опір у відкритому стані 0,26 Ом
- Корпус D2PAK для SMD монтажу
- Набір із 10 транзисторів
Потужність та струм
Транзистори витримують постійний струм стоку 12 А та імпульсний струм до 30 А. Максимальна розсіювана потужність становить 90 Вт,.
Висока напруга та опір
Номінальна напруга стік-витік 650 В. Опір у відкритому стані 0,26 Ом.
Зручний монтаж
Компоненти виконані у корпусі D2PAK для поверхневого монтажу (SMD)..
Комплектація
У наборі постачається 10 транзисторів.. Заряд затвора становить 24 нКл,. Максимальна напруга затвор-витік ±30 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 90 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 12 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 260 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 520 ₴