Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCB20N60FTM, 600 В, 12,5 А, D2PAK (5 шт.)
2 420 ₴
- В наявності
- Код: TM112180
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCB20N60FTM, 600 В, 12,5 А, D2PAK (5 шт.)В наявності
2 420 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCB20N60FTM — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі D2PAK для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 600 В
- Струм дрена: 12,5 А
- Потужність розсіювання: 208 Вт
- Опір у провідному стані: 0,19 Ом
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Технологія: SuperFET®
- Комплектація: 5 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 600 В та максимальний струм дрена 12,5 А. Потужність розсіювання становить 208 Вт. Опір у провідному стані дорівнює 0,19 Ом.
Технологія та монтаж
Прилад виготовлений за технологією SuperFET®. Корпус D2PAK та тип монтажу SMD. Напруга затвор-джерело обмежена ±30 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 208 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 12.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 190 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | SuperFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 420 ₴