Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN6140LQ-13, 60В, 1,2А, SOT23-3 (60 шт.)

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN6140LQ-13 — це уніполярний компонент з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Пакет містить 60 одиниць у корпусі SOT23-3 для поверхневого монтажу (SMD).

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Напруга стік-витік: 60 В
• Струм стіка: 1,2 А (постійний), 10 А (імпульсний)
• Корпус: SOT23-3, монтаж SMD
• Розсіювана потужність: 0,4 Вт
• Опір у відкритому стані: 0,17 Ом
• Кількість у комплекті: 60 шт.

Напруга та струм

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 60 В та постійний струм стіка 1,2 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 10 А.

Потужність та опір

Максимальна розсіювана потужність становить 0,4 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 0,17 Ом, що впливає на ефективність передачі струму.

Керування та заряд

Напруга затвор-витік обмежена ±20 В. Заряд затвора становить 8,6 нКл, що визначає швидкість перемикання та навантаження на керуючий вузол.