Транзистор N-MOSFET x2 Diodes Incorporated DMN32D2LDF-7, SOT353, 30V, 400mA (50 шт.)
2 040 ₴
- В наявності
- Код: TM112055
Транзистор N-MOSFET x2 Diodes Incorporated DMN32D2LDF-7, SOT353, 30V, 400mA (50 шт.)В наявності
2 040 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN32D2LDF-7 — це подвійний польовий транзистор у компактному корпусі SOT353. Комплект складається з 50 одиниць.
- Подвійний N-MOSFET у одному корпусі SOT353
- Максимальна напруга сток-виток 30 В
- Струм стоку 400 мА
- Потужність розсіювання 280 мВт
- Опір у стані провідності 2,2 Ом
- Комплект: 50 транзисторів
Структура та канал
Транзистор має структуру з двома N-канальними MOSFET з багатим каналом та спільним витоком. Максимальна напруга між стоком та витоком становить 30 В, а струм стоку — 400 мА. Потужність розсіювання обмежена 280 мВт.
Корпус SOT353 та монтаж
Компонент виконаний у поверхнево-монтованому корпусі SOT353. Версія: ESD.
Електричні параметри
Опір у стані провідності дорівнює 2,2 Ом. Напруга затвор-виток може досягати ±10 В. Транзистор є уніполярним.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diodes Incorporated |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.28 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 10 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.4 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2200 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 50 шт. |
| Корпус | SOT353 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 040 ₴