Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN2005LPK-7, 20V, 0,44A, X1-DFN1006-3 (300 шт.)
2 510 ₴
- В наявності
- Код: TM112052
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN2005LPK-7, 20V, 0,44A, X1-DFN1006-3 (300 шт.)В наявності
2 510 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN2005LPK-7 — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхні плати (SMD). Поставляється комплектом із 300 штук у корпусі X1-DFN1006-3 з версією ESD.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: 20 В
- Струм дрена: 0,44 А
- Потужність розсіювання: 0,45 Вт
- Корпус: X1-DFN1006-3, монтаж SMD
- Комплектація: 300 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою дрена-джерела 20 В та струмом дрена 0,44 А. Потужність розсіювання становить 0,45 Вт.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі X1-DFN1006-3 для монтажу технологією SMD. Транзистор має версію ESD.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diodes Incorporated |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.45 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 10 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.44 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 3500 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 300 шт. |
| Корпус | X1-DFN1006-3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 510 ₴