Транзистор N-MOSFET x2 Diodes Incorporated DMG1026UV-7, SOT563, 60В, 0,3А (комплект 40 шт.)
2 240 ₴
- В наявності
- Код: TM112051
Транзистор N-MOSFET x2 Diodes Incorporated DMG1026UV-7, SOT563, 60В, 0,3А (комплект 40 шт.)В наявності
2 240 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
- Подвійний N-MOSFET транзистор (x2) у комплекті з 40 штук
- Корпус SOT563 для поверхневого монтажу (SMD)
- Максимальна напруга між стоком та витоком: 60 В
- Струм стоку: 0,3 А (у імпульсі до 1 А)
- Опір у відкритому стані: 1,8 Ом
- Потужність розсіювання: 0,58 Вт
- Версія ESD (захист від електростатичного розряду)
Електричні параметри
Компоненти є уніполярними транзисторами з каналом типу N та збагачуваним каналом. Максимальна напруга між стоком та витоком становить 60 В, а постійний струм стоку — 0,3 А. У імпульсному режимі струм може досягати 1 А. Напруга на затворі може змінюватися в межах ±20 В.
Корпус та монтаж
Транзистори виконані в компактному корпусі SOT563, призначеному для поверхневого монтажу (SMD). Потужність розсіювання становить 0,58 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 1,8 Ом.
Версія ESD
Транзистори належать до версії ESD, що вказує на наявність захисту від електростатичного розряду.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diodes Incorporated |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.58 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.3 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1800 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | SOT563 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 240 ₴