
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMG1012T-7, SOT523, 20V, 0,45A (набір 60 шт.)
1 900 ₴
- В наявності
- Код: TM112050
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMG1012T-7 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі SOT523. Комплект складається з 60 одиниць, призначених для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 20 В
- Струм стоку: 0,45 А
- Потужність розсіювання: 0,28 Вт
- Корпус: SOT523, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 60 шт.
Керування та опір каналу
Напруга затвор-витік обмежена ±6 В, що визначає режими керування каналом. Опір у відкритому стані становить 0,3 Ом, що впливає на втрати при проходженні струму.
Напруга та струм
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 20 В та струм стоку 0,45 А. Ці параметри визначають межі роботи компонента в електричному колі.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diodes Incorporated |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.28 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 6 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.45 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 300 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 60 шт. |
| Корпус | SOT523 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 900 ₴
