Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMG1012T-7, SOT523, 20V, 0,45A (набір 60 шт.)

1 900 ₴

  • В наявності
  • Код: TM112050
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMG1012T-7, SOT523, 20V, 0,45A (набір 60 шт.)
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMG1012T-7, SOT523, 20V, 0,45A (набір 60 шт.)В наявності
1 900 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMG1012T-7 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі SOT523. Комплект складається з 60 одиниць, призначених для поверхневого монтажу (SMD).

  • Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
  • Максимальна напруга стік-витік: 20 В
  • Струм стоку: 0,45 А
  • Потужність розсіювання: 0,28 Вт
  • Корпус: SOT523, монтаж SMD
  • Кількість у комплекті: 60 шт.

Керування та опір каналу

Напруга затвор-витік обмежена ±6 В, що визначає режими керування каналом. Опір у відкритому стані становить 0,3 Ом, що впливає на втрати при проходженні струму.

Напруга та струм

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 20 В та струм стоку 0,45 А. Ці параметри визначають межі роботи компонента в електричному колі.

Характеристики
Основні
ВиробникDiodes Incorporated
Максимальна потужність розсіювання0.28 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік6 В
Максимально допустима напруга стік-витік20 В
Максимально допустимий струм стоку0.45 А
Опір у відкритому стані (Rds)300 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
ВерсіяESD
Кількість у комплекті60 шт.
КорпусSOT523
Інформація для замовлення
  • Ціна: 1 900 ₴