Транзистор N-MOSFET DIOTEC DI017N10D1, 100В, 12А, DPAK (DI017N10D1-DIO) — набір 30 шт.
2 030 ₴
- В наявності
- Код: TM112024
Транзистор N-MOSFET DIOTEC DI017N10D1, 100В, 12А, DPAK (DI017N10D1-DIO) — набір 30 шт.В наявності
2 030 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET DIOTEC DI017N10D1 — це напівпровідниковий компонент з каналом збагачення. Модель розрахована на напругу 100 В та постійний струм 12 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга «дрен-джерело»: 100 В
- Постійний струм «дрен»: 12 А (імпульсний до 60 А)
- Розсіювана потужність: 79 Вт
- Опір у відкритому стані: 155 мОм
- Корпус: DPAK (TO252AA), монтаж SMD
- Кількість у наборі: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу «дрен-джерело» 100 В та постійний струм «дрен» 12 А. У імпульсному режимі струм може досягати 60 А, що дозволяє витримувати короткочасні пікові навантаження. Максимальна розсіювана потужність становить 79 Вт, а опір у відкритому стані — 155 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі DPAK (TO252AA) для поверхневого монтажу (SMD). Полярність транзистора — уніполярна, тип каналу — збагачуваний (enhancement mode).
Комплектація
Товар поставляється набором із 30 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diotec Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 79 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 16 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 12 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 155 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | DPAK, TO252AA |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 030 ₴