Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19501KCS, 80В 100А, TO220-3 (набір 10 шт.)

Набір із 10 транзисторів N-MOSFET від Texas Instruments, модель CSD19501KCS. Призначені для монтажу на плату (THT) у корпусі TO220-3. Ключові параметри: напруга 80 В, струм 100 А, потужність розсіювання 217 Вт.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-виток: 80 В
• Постійний струм стіка: 100 А
• Потужність розсіювання: 217 Вт
• Корпус: TO220-3, монтаж THT
• Опір у відкритому стані: 5,5 мОм
• Кількість у наборі: 10 шт.

Електричні характеристики

Транзистор є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Максимальна напруга між витоком та стоком становить 80 В, а постійний струм стоку — 100 А. Опір у відкритому стані дорівнює 5,5 мОм.

Теплові параметри та монтаж

Прилад має потужність розсіювання 217 Вт. Товщина радіатора для даного корпусу TO220-3 становить 1,14–1,4 мм. Монтаж виконується методом виведених назовні виводів (THT), що дозволяє встановлювати компонент на друковану плату з отворами.

Технологія та комплектація

Виробник використовує технологію NexFET™. Заряд затвора становить 38 нКл, а допустима напруга затвор-виток — ±20 В. У комплекті поставляється 10 одиниць товару.## Комплектація та ідентифікаціяКомплект складається з 10 транзисторів. Символ виробника — CSD19501KCS. Корпус TO220-3. Товщина радіатора для цього корпусу становить 1,14–1,4 мм.## Електричні параметри затвораДопустима напруга затвор-виток становить ±20 В. Заряд затвора дорівнює 38 нКл.