Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD18543Q3AT — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для комутації струмів до 35 А при напрузі 60 В. Компактний корпус VSONP8 розміром 3,3 × 3,3 мм забезпечує ефективне розсіювання потужності до 66 Вт.
- Струм стоку 35 А
- Напруга стік-витік 60 В
- Опір у відкритому стані 8,1 мОм
- Потужність розсіювання 66 Вт
- Корпус VSONP8 (3,3 × 3,3 мм)
- Набір із 10 транзисторів
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік 60 В та витримує постійний струм стоку 35 А. Опір у відкритому стані становить 8,1 мОм. Заряд затвора дорівнює 11,1 нКл, а допустима напруга затвор-витік — ±20 В.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі VSONP8 із габаритами 3,3 × 3,3 мм. Застосування технології NexFET™ впливає на характеристики перемикання транзистора. Монтаж здійснюється методом поверхневого монтажу (SMD).
Технологія NexFET™ та монтаж у корпусі VSONP8
Товар постачається у вигляді набору, що містить 10 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Максимальна потужність розсіювання | 66 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 35 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 8.1 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | VSONP8 |
| Розміри | 3.3 × 3.3 |
| Технологія | NexFET™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 940 ₴

