Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD13381F4T, 12В, 2,1А, SMD (PICOSTAR3), 20 шт.
2 350 ₴
- В наявності
- Код: TM111944
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD13381F4T, 12В, 2,1А, SMD (PICOSTAR3), 20 шт.В наявності
2 350 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD13381F4T — це уніполярний компонент із каналом збагачення,. Комплект складається з 20 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 12 В
- Струм стіка: 2,1 А (постійний), 7 А (імпульсний)
- Корпус: PICOSTAR3, монтаж SMD
- Комплектація: 20 штук у наборі
- Потужність розсіювання: 0,5 Вт
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 12 В та постійний струм стіка 2,1 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 7 А. Потужність розсіювання становить 0,5 Вт, а опір у відкритому стані — 0,4 Ом.
Корпус та технологія
Компонент виконаний у корпусі PICOSTAR3 із технологією SMD. Напруга затвор-витік обмежена значенням ±8 В. Використовується технологія NexFET™.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 12 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.1 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 400 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PICOSTAR3 |
| Технологія | NexFET™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 350 ₴