Транзистор N-MOSFET Infineon BSS816NWH6327XTSA1, 20В, 1,4А, SOT323 (80 шт.)
2 020 ₴
- В наявності
- Код: TM111655
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS816NWH6327XTSA1, 20В, 1,4А, SOT323 (80 шт.)В наявності
2 020 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS816NWH6327XTSA1 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення. Комплект складається з 80 одиниць у корпусі SOT323 для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга дрена-джерела: 20 В
- Струм дрена: 1,4 А
- Потужність розсіювання: 0,5 Вт
- Корпус: SOT323, монтаж SMD
- Комплектація: 80 шт.
Електричні параметри
Напруга дрена-джерела становить 20 В, а струм дрена — 1,4 А. Потужність розсіювання — 0,5 Вт, опір у стані провідності — 0,24 Ом. Допустима напруга затвор-джерело — ±8 В.
Комплектація та монтаж
Комплект складається з 80 транзисторів. Компоненти мають корпус SOT323 та технологію OptiMOS™ 2. Монтаж виконується методом SMD.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1.4 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 240 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 80 шт. |
| Корпус | SOT323 |
| Технологія | OptiMOS™ 2 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 020 ₴