Транзистор N-MOSFET Infineon BSS225H6327FTSA1, 600В, SOT89, набір 30 шт.

Набір із 30 транзисторів N-MOSFET від Infineon Technologies, модель BSS225H6327FTSA1. Компоненти призначені для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі SOT89 та працюють за технологією SIPMOS™.

• Напруга дрена-джерела 600 В
• Струм дрена 90 мА
• Потужність розсіювання 1 Вт
• Опір у провідному стані 45 Ом
• Корпус SOT89, монтаж SMD
• Технологія SIPMOS™
• Набір із 30 транзисторів

Електричні параметри

Транзистор має напругу дрена-джерела 600 В та струм дрена 90 мА. Потужність розсіювання становить 1 Вт, а опір у провідному стані — 45 Ом. Напруга затвор-джерело допускає значення ±20 В.

Технологія та монтаж

Компонент виготовлений за технологією SIPMOS™. Монтаж виконується методом SMD (поверхневий монтаж). Корпус SOT89 є компактним рішенням для електронних схем.

Тип транзистора та полярність

Транзистор є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Це означає, що пристрій відкритий лише при подачі напруги на затвор, що відповідає стандартній логіці керування для цього типу компонентів.