Транзистор P-MOSFET Infineon BSS192PH6327FTSA1, -250В, 1Вт, PG-SOT89 (набір 30 шт.)
2 340 ₴
- В наявності
- Код: TM111653
Транзистор P-MOSFET Infineon BSS192PH6327FTSA1, -250В, 1Вт, PG-SOT89 (набір 30 шт.)В наявності
2 340 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
P-MOSFET транзистор Infineon BSS192PH6327FTSA1 у корпусі PG-SOT89 для SMD-монтажу. Напруга між витоком і стоком становить -250 В, струм стока -190 мА, розсіювана потужність 1 Вт. У комплекті 30 одиниць.
- Тип: P-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-витік: -250 В
- Струм стіка: -190 мА
- Потужність розсіювання: 1 Вт
- Корпус: PG-SOT89, монтаж SMD
- Кількість у наборі: 30 шт.
Електричні характеристики
Транзистор є уніполярним P-MOSFET з каналом збагачення. Максимальна напруга між стоком і витоком дорівнює -250 В, а напруга на затворі — ±20 В.
Опір у провідному стані
Опір у провідному стані становить 12 Ом.
Комплектація
Товар поставляється набором із 30 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 1 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | PG-SOT89 |
| Технологія | SIPMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 340 ₴