Транзистор N-MOSFET ONSEMI BSS138LT3G, SOT23, 50В, 0,2А (набір 70 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI BSS138LT3G — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення в корпусі SOT23. Призначений для монтажу на поверхню (SMD) та роботи в електронних схемах із напругою до 50 В.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга «дрен-джерело»: 50 В
• Струм дрену: 0,2 А (постійний), 0,8 А (імпульсний)
• Потужність розсіювання: 0,225 Вт
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 70 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу «дрен-джерело» 50 В та постійний струм дрену 0,2 А. У імпульсному режимі струм може досягати 0,8 А. Потужність розсіювання становить 0,225 Вт, що відповідає можливостям компактного корпусу.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у стандартному корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD). Це дозволяє розміщувати транзистор на друкованих платах без свердління отворів.

Комплектація

Товар поставляється набором із 70 штук. Кількість у комплекті становить 70 шт., що відповідає даним специфікації виробника.