Транзистор N-MOSFET Infineon BSS123NH6327XTSA1, SOT23, 100В, 0,15А (комплект 80 шт.)
2 040 ₴
- В наявності
- Код: TM111649
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS123NH6327XTSA1, SOT23, 100В, 0,15А (комплект 80 шт.)В наявності
2 040 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS123NH6327XTSA1 — це уніполярний компонент з каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD). Товар постачається комплектом із 80 штук у корпусі SOT23.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга дрена-джерела: 100 В
- Струм дрена: 0,15 А (постійний), 0,77 А (імпульсний)
- Розсіювана потужність: 0,5 Вт
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Комплектація: 80 штук
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 100 В та постійний струм дрена 0,15 А. У імпульсному режимі допустимий струм дрена становить 0,77 А, а максимальна розсіювана потужність — 0,5 Вт.
Корпус та монтаж
Монтаж здійснюється методом SMD у корпусі SOT23.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.15 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 10000 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 80 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Технологія | OptiMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 040 ₴