Транзистор N-MOSFET ONSEMI BSS123LT1G, SOT23, 100В, 0,17А (набір 90 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI BSS123LT1G — це уніполярний польовий транзистор з ізольованим затвором у корпусі SOT23. Призначений для монтажу на поверхню (SMD) та роботи в електронних схемах із навантаженням до 0,17 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Максимальна напруга стік-витік: 100 В
• Струм стоку: 0,17 А
• Розсіювана потужність: 0,225 Вт
• Опір у відкритому стані: 6 Ом
• Кількість у наборі: 90 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою стік-витік до 100 В та струмом стоку 0,17 А. Максимальна розсіювана потужність становить 0,225 Вт, що визначає тепловий режим пристрою. Опір у відкритому стані дорівнює 6 Ом, що впливає на втрати енергії при проходженні струму.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у стандартному корпусі SOT23, що забезпечує компактність вузла. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж), що є стандартним для сучасних друкованих плат. Канал транзистора — збагачуваний (enhancement mode), що означає відсутність струму стоку при нульовій напрузі на затворі.

Комплектація

Товар постачається набором із 90 штук.