Транзистор N-MOSFET Infineon BSS119NH6327XTSA1, SOT23, 100В, 0,19А (набір 90 шт.)
2 010 ₴
- В наявності
- Код: TM111647
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS119NH6327XTSA1, SOT23, 100В, 0,19А (набір 90 шт.)В наявності
2 010 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 90 транзисторів N-MOSFET від Infineon Technologies, модель BSS119NH6327XTSA1. Компоненти у корпусі SOT23 призначені для поверхневого монтажу (SMD) та працюють за технологією SIPMOS™.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, з підвищеним каналом
- Максимальна напруга стік-виток: 100 В
- Максимальний струм стоку: 0,19 А
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Технологія: SIPMOS™
- Кількість у наборі: 90 шт.
Електричні параметри
Транзистор є уніполярним N-канальним MOSFET з підвищеним каналом. Максимальна напруга між стоком та витоком становить 100 В, а максимальний струм стоку — 0,19 А. Напруга на затворі може змінюватися в межах ±20 В. Опір у відкритому стані дорівнює 10 Ом.
Монтаж та корпус
Компоненти виконані у корпусі SOT23. Технологія SIPMOS™. Монтаж: SMD (поверхневий).
Комплектація
У пакеті постачається 90 одиниць транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.19 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 10000 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 90 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Технологія | SIPMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 010 ₴