Транзистор N-MOSFET Infineon BSP149H6327XTSA1, 200В, 0,53А, SOT223 (20 шт.)
2 580 ₴
- В наявності
- Код: TM111643
Транзистор N-MOSFET Infineon BSP149H6327XTSA1, 200В, 0,53А, SOT223 (20 шт.)В наявності
2 580 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon BSP149H6327XTSA1 — це уніполярний компонент із каналом, що збіднюється. Пристрій розрахований на напругу дрен-джерело 200 В та постійний струм 0,53 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрен-джерело: 200 В
- Струм дрену: 0,53 А (імпульсний до 2,6 А)
- Потужність розсіювання: 1,8 Вт
- Корпус: SOT223, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою дрен-джерело до 200 В. Номінальний струм дрену становить 0,53 А, а імпульсний струм може досягати 2,6 А. Потужність розсіювання обмежена 1,8 Вт.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі SOT223. Монтаж здійснюється за технологією SMD.
Комплектація
Товар поставляється набором із 20 транзисторів. Напруга затвор-джерело становить ±20 В. Опір у провідному стані дорівнює 3,5 Ом. Використовується технологія SIPMOS™.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.8 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 200 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.53 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 3500 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SOT223 |
| Технологія | SIPMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 580 ₴