Транзистор N/P-MOSFET Infineon BSL308CH6327XTSA1, комплект 30 шт., корпус PG-TSOP-6
2 440 ₴
- В наявності
- Код: TM111642
Транзистор N/P-MOSFET Infineon BSL308CH6327XTSA1, комплект 30 шт., корпус PG-TSOP-6В наявності
2 440 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Комплект із 30 транзисторів Infineon BSL308CH6327XTSA1 типу N/P-MOSFET у корпусі PG-TSOP-6. Призначені для монтажу на поверхню (SMD).
- Комплект із 30 транзисторів
- Тип: N/P-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: 30/-30 В
- Струм дрена: 2,3/-2 А
- Потужність розсіювання: 0,5 Вт
- Корпус: PG-TSOP-6, монтаж SMD
- Технологія: OptiMOS™ 2
Електричні параметри
Транзистори мають напругу дрена-джерела 30/-30 В та струм дрена 2,3/-2 А. Потужність розсіювання становить 0,5 Вт.
Опір та напруга затвора
Опір у стані провідності дорівнює 67/88 мОм, а напруга затвор-джерело — ±20 В.
Корпус та технологія
Вироби виготовлені за технологією OptiMOS™ 2 у корпусі PG-TSOP-6. Монтаж здійснюється методом SMD.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | PG-TSOP-6 |
| Технологія | OptiMOS™ 2 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 440 ₴