Транзистор NPN Infineon BFP650H6327, SiGe:C, RF, SOT343, 40 шт.
2 230 ₴
- В наявності
- Код: TM111608
Транзистор NPN Infineon BFP650H6327, SiGe:C, RF, SOT343, 40 шт.В наявності
2 230 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор Infineon BFP650H6327 — це біполярний напівпровідниковий прилад типу NPN, виготовлений за технологією SiGe:C. Він призначений для радіочастотних (RF) застосувань та постачається комплектом із 40 штук у корпусі SOT343.
- Тип транзистора: NPN, біполярний
- Технологія виготовлення: SiGe:C
- Робоча частота: до 42 ГГц
- Корпус: SOT343, монтаж SMD
- Струм колектора: 0,15 А
- Напруга колектор-емітер: 13 В
- Потужність розсіювання: 0,5 Вт
- Кількість у комплекті: 40 шт.
Радіочастотні характеристики
Прилад працює на частоті до 42 ГГц, що робить його придатним для високочастотних схем. Технологія SiGe:C забезпечує необхідні параметри для RF-застосувань.
Електричні параметри
Максимальний струм колектора становить 0,15 А, а напруга колектор-емітер — 13 В. Потужність розсіювання дорівнює 0,5 Вт. Ці значення визначають робочі межі транзистора в електричних ланцюгах.
Монтаж та корпус
Транзистор виконаний у корпусі SOT343 для поверхневого монтажу (SMD). Такий формат підходить для автоматизованого встановлення на друковані плати.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.5 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 13 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 0.15 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | SOT343 |
| Технологія | SiGe:C |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 230 ₴