Транзистор NPN Infineon BF888H6327XTSA1, RF, SOT343, 4 В, 30 мА, 0,16 Вт (комплект 200 шт.)
2 090 ₴
- В наявності
- Код: TM111606
Транзистор NPN Infineon BF888H6327XTSA1, RF, SOT343, 4 В, 30 мА, 0,16 Вт (комплект 200 шт.)В наявності
2 090 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор Infineon BF888H6327XTSA1 — це біполярний напівпровідниковий прилад типу NPN, розроблений для радіочастотних (RF) застосувань. Товар постачається комплектом із 200 штук у корпусі SOT343 для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип транзистора: NPN, біполярний
- Клас: RF (радіочастотний)
- Корпус: SOT343, монтаж SMD
- Напруга колектор-емітер: 4 В
- Струм колектора: 30 мА
- Потужність розсіювання: 0,16 Вт
- Коефіцієнт підсилення: 250
- Гранична частота: 47 ГГц
- Комплектація: 200 шт.
Електричні параметри
Прилад має максимальну напругу колектор-емітер 4 В та максимальний струм колектора 30 мА. Потужність розсіювання становить 0,16 Вт. Ці параметри визначають робочі режими транзистора в електричних ланцюгах.
Корпус та монтаж
Транзистор виконаний у корпусі SOT343, що призначений для технології поверхневого монтажу (SMD). Товар постачається комплектом із 200 штук.
Радіочастотні характеристики
Транзистор класифікується як RF-компонент із граничною частотою 47 ГГц. Коефіцієнт підсилення за струмом становить 250.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.16 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 4 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 0.03 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 200 шт. |
| Корпус | SOT343 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 090 ₴