Транзистор NPN ONSEMI BCW65CLT1G, SOT23, 32В, 0,8А, 150 шт.
2 440 ₴
- В наявності
- Код: TM111593
Транзистор NPN ONSEMI BCW65CLT1G, SOT23, 32В, 0,8А, 150 шт.В наявності
2 440 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор NPN ONSEMI BCW65CLT1G — це біполярний напівпровідниковий прилад у корпусі SOT23 (TO236AB) для поверхневого монтажу (SMD). Комплект складається зі 150 одиниць.
- Тип транзистора: NPN, біполярний
- Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
- Напруга колектор-емітер: 32 В
- Струм колектора: 0,8 А
- Потужність розсіювання: 0,225 Вт
- Коефіцієнт підсилення (hFE): 250...630
- Частота: 100 МГц
- Кількість у комплекті: 150 шт.
Електричні параметри
Транзистор має напругу колектор-емітер 32 В та максимальний струм колектора 0,8 А. Коефіцієнт підсилення за струмом (hFE) становить від 250 до 630. Потужність розсіювання обмежена 0,225 Вт.
Монтаж та корпус
Прилад виконаний у стандартному корпусі SOT23 (TO236AB) і призначений для технології SMD (Surface Mount Device). Частота переходу становить 100 МГц.
Комплектація
У пакуванні міститься 150 транзисторів BCW65CLT1G.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.225 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 32 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 0.8 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Додаткові характеристики | |
| Гранична частота передачі | 100 МГц |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 150 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 440 ₴