
Діод Schottky BASiC SEMICONDUCTOR B2D30120H1, SiC, 1200 В, 30 А, TO247-2 (комплект 2 шт.)
2 080 ₴
- В наявності
- Код: TM111483
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Діод Шоткі BASiC SEMICONDUCTOR B2D30120H1 — це напівпровідниковий компонент на основі карбіду кремнію (SiC) у корпусі TO247-2. Комплект складається з 2 одиниць, призначених для монтажу на плату (THT).
- Технологія SiC
- Максимальна напруга 1,2 кВ
- Струм провідності 30 А
- Корпус TO247-2 для монтажу THT
- Комплект із 2 діодів
Висока напруга та струм
Діод розрахований на максимальну зворотну напругу 1,2 кВ та постійний струм провідності 30 А.
Технологія SiC
Технологія виготовлення: SiC (карбід кремнію). Максимальна напруга провідності становить 2 В. Потужність розсіювання: 185 Вт.
Струм витоку
Струм витоку: 38 мкА.
Комплектація
У комплекті постачається 2 діоди BASiC SEMICONDUCTOR B2D30120H1. Монтаж виконується методом THT (скрізь отвори) у корпусі TO247-2.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 185 Вт |
| Максимальна постійна зворотна напруга | 1200 В |
| Максимальна пряма напруга | 2 В |
| Максимальний зворотний струм | 38 мкА |
| Максимальний прямий струм | 30 А |
| Стан | Новий |
| Тип діода | Діод Шотткі |
| Додаткові характеристики | |
| Тип монтажу | Вставний |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | TO247-2 |
| Виробник | BASiC SEMICONDUCTOR |
| Технологія | SiC |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 080 ₴
