Діод Schottky BASiC SEMICONDUCTOR B2D02120E1, SiC, 1,2 кВ, 2 А, TO252-2 (комплект 20 шт.)
2 060 ₴
- В наявності
- Код: TM111480
Діод Schottky BASiC SEMICONDUCTOR B2D02120E1, SiC, 1,2 кВ, 2 А, TO252-2 (комплект 20 шт.)В наявності
2 060 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Діод Шоткі BASiC SEMICONDUCTOR B2D02120E1 — це напівпровідниковий компонент технології SiC у корпусі TO252-2 для поверхневого монтажу (SMD). Комплект складається з 20 одиниць.
- Технологія SiC
- Корпус TO252-2 для монтажу SMD
- Максимальна зворотна напруга 1,2 кВ
- Струм провідності 2 А
- Потужність розсіювання 34 Вт
- Комплект із 20 діодів
Висока напруга та струм
Діод розрахований на максимальну зворотну напругу 1,2 кВ та постійний струм провідності 2 А.
Технологія SiC та ефективність
Використання карбіду кремнію (SiC) забезпечує високі технічні характеристики діода. Потужність розсіювання становить 34 Вт, а максимальний струм у імпульсі становить 22 А.
Зручний монтаж SMD
Компонент виконаний у корпусі TO252-2 для технології поверхневого монтажу (SMD).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 34 Вт |
| Максимально допустимий прямий імпульсний струм | 22 А |
| Максимальна постійна зворотна напруга | 1200 В |
| Максимальна пряма напруга | 1.92 В |
| Максимальний зворотний струм | 20 мкА |
| Максимальний прямий струм | 2 А |
| Стан | Новий |
| Тип діода | Діод Шотткі |
| Додаткові характеристики | |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO252-2 |
| Виробник | BASiC SEMICONDUCTOR |
| Технологія | SiC |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 060 ₴