Діод BASiC SEMICONDUCTOR B1D40065H, SiC Schottky, 650V, 40A, TO247-2 (3 шт.)

Комплект із трьох діодів BASiC SEMICONDUCTOR B1D40065H.## Монтаж та корпус

• 3 діоди Шотткі в комплекті
• Технологія SiC (карбід кремнію)
• Максимальна напруга 650 В
• Прямий струм 40 А
• Корпус TO247-2, монтаж THT
• Струм витоку 20 мкА

Висока напруга та струм

Діоди розраховані на максимальну зворотну напругу 650 В та прямий струм 40 А.

Технологія SiC

Технологія SiC. Струм витоку становить 20 мкА. Падіння напруги при пропусканні — до 1,62 В.

Структура та потужність

Структура напівпровідника — одиночний діод. Максимальна розсіювана потужність становить 185 Вт.