Транзистор P-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR 3401, SOT23, -30В, -4,2А (30 шт.)
2 030 ₴
- В наявності
- Код: TM110991
Транзистор P-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR 3401, SOT23, -30В, -4,2А (30 шт.)В наявності
2 030 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR 3401 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, виготовлений за технологією Trench. Комплект складається з 30 елементів у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга дрена-джерела: -30 В
- Струм дрена: -4,2 А
- Потужність розсіювання: 1,2 Вт
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Комплектація: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор має напругу дрена-джерела -30 В та максимальний струм дрена -4,2 А. Потужність розсіювання становить 1,2 Вт, а заряд затвора — 8,5 нКл. Напруга затвор-джерело дозволена в межах ±12 В.
Комплектація
Комплект складається з 30 транзисторів GOFORD SEMICONDUCTOR 3401.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 1.2 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Виробник | GOFORD SEMICONDUCTOR |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 030 ₴