Транзистор N-MOSFET Nexperia 2N7002P,215, SOT23, 60В, 0,28А (набір 150 шт.)

Транзистор N-MOSFET Nexperia 2N7002P,215 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, виготовлений за технологією Trench. Призначений для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі SOT23 (TO236AB). Пакет містить 150 одиниць.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Технологія виготовлення: Trench
• Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
• Напруга дрена-джерела: 60 В
• Струм дрена: 0,28 А (постійний), 1,2 А (імпульсний)
• Розсіювана потужність: 0,42 Вт
• Опір у стані провідності: 2 Ом
• Кількість у комплекті: 150 шт.

Тип та технологія

Пристрій є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення, виготовленим за технологією Trench. Максимальна напруга дрена-джерела становить 60 В, а напруга затвор-джерело — ±20 В. Заряд затвора дорівнює 0,8 нКл.

Струмові характеристики

Постійний струм дрена становить 0,28 А, а в імпульсному режимі він може досягати 1,2 А. Опір у стані провідності дорівнює 2 Ом, що визначає теплові втрати при роботі.