Транзистор N-MOSFET Nexperia 2N7002BKV,115, SOT666, 60В, 0,24А (набір 80 шт.)

Транзистор N-MOSFET Nexperia 2N7002BKV,115 — це подвійний польовий транзистор з каналом, що збагачується, у корпусі SOT666 для поверхневого монтажу (SMD). Комплект складається з 80 одиниць, що забезпечує запас компонентів для серійного виробництва або ремонтних робіт.

• Напруга стік-витік: 60 В
• Струм стоку: 0,24 А (постійний), 1,2 А (імпульсний)
• Корпус: SOT666, монтаж SMD
• Тип: подвійний N-MOSFET (Trench)
• Розсіювана потужність: 0,525 Вт
• Комплектація: 80 шт.

Технічні параметри

Транзистор має напругу стік-витік 60 В та постійний струм стоку 0,24 А. Імпульсний струм стоку може досягати 1,2 А, а розсіювана потужність становить 0,525 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 2 Ом, що мінімізує втрати енергії при комутації.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі SOT666, що призначений для технології поверхневого монтажу (SMD). Це дозволяє розміщувати транзистори на друкованих платах з високою щільністю компонентів. Версія ESD вказує на наявність захисту від електростатичного розряду.

Заряд та опір каналу

Заряд затвора становить 0,6 нКл, що впливає на швидкість перемикання транзистора. Пристрій є подвійним N-MOSFET (N-MOSFET x2) з уніполярною полярністю та збагачуваним каналом. Технологія Trench забезпечує ефективну роботу компонентів. Максимальна напруга затвор-витік становить ±20 В. Ідентифікатор TME для цього товару — 2N7002BKV.115.