Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZXMS6005DGTA, 60В, 2А, SOT223 (набір 30 шт.)

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZXMS6005DGTA — це уніполярний компонент із каналом збагачення, розроблений за технологією IntelliFET™. Пристрій розрахований на робочу напругу 60 В та струм стоку 2 А.

• Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 60 В
• Струм стоку: 2 А
• Розсіювана потужність: 1,3 Вт
• Опір у стані провідності: 0,2 Ом
• Корпус: SOT223, монтаж SMD
• Технологія: IntelliFET™, версія ESD
• Кількість у наборі: 30 шт.

Технічні параметри та корпус

Транзистор виконаний у корпусі SOT223 для поверхневого монтажу (SMD). Максимальна розсіювана потужність становить 1,3 Вт, а опір у стані провідності дорівнює 0,2 Ом. Компонент має логічний рівень керування (logic level).

Версія ESD

Компонент має версію ESD (захист від електростатичного розряду). Транзистор виготовлений за технологією IntelliFET™.

Комплектація

Товар поставляється набором із 30 транзисторів.