Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated ZXMP6A17E6TA, SOT26, -60В, -2,4А (комплект 30 шт.)

Комплект із 30 транзисторів P-MOSFET від Diodes Incorporated, модель ZXMP6A17E6TA. Призначені для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі SOT26. Ключові параметри: напруга дренаж-виток -60 В, струм дренажу -2,4 А, розсіювана потужність 1,1 Вт.

• Тип: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Напруга дренаж-виток: -60 В
• Струм дренажу: -2,4 А
• Розсіювана потужність: 1,1 Вт
• Корпус: SOT26, монтаж SMD
• Опір у стані провідності: 0,19 Ом
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Електричні характеристики

Транзистор є уніполярним P-канальним MOSFET з каналом збагачення типу. Максимальна напруга між дренажем і витоком становить -60 В, а між затвором і витоком — ±20 В. Струм дренажу обмежений значенням -2,4 А. Опір у стані провідності дорівнює 0,19 Ом, що визначає втрати при відкритому каналі.

Монтаж та корпус

Компоненти виконані у корпусі SOT26 для поверхневого монтажу (SMD). Розсіювана потужність становить 1,1 Вт, що враховується при розрахунку теплового режиму пристрою.

Комплектація

Упаковка містить 30 однакових транзисторів ZXMP6A17E6TA.