Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated ZXMP6A17E6QTA, -60В, -3А, SOT26 (30 шт.)

Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated ZXMP6A17E6QTA — це уніполярний компонент з каналом збагачення. Комплект із 30 штук у корпусі SOT26 зручний для масового монтажу та серійного виробництва.

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга дрена-джерела: -60 В
• Постійний струм дрена: -3 А, імпульсний: -13,6 А
• Опір у стані провідності: 0,125 Ом
• Розсіювана потужність: 1,92 Вт
• Корпус SOT26 для SMD-монтажу
• Комплект: 30 штук

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою дрена-джерела до -60 В та постійним струмом дрена -3 А. У імпульсному режимі допустимий струм становить -13,6 А. Опір у стані провідності становить 0,125 Ом.

Тепловий режим та керування

Максимальна розсіювана потужність дорівнює 1,92 Вт, тому компонент потребує належного відведення тепла на платі. Максимальна напруга затвор-джерело становить ±20 В. Заряд затвора 17,7 нКл впливає на швидкість перемикання та вимоги до драйвера.

Монтаж та корпус

Комплект із 30 транзисторів у корпусі SOT26 для поверхневого монтажу (SMD).