Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated ZXMP10A18GTA, SOT223, 10 шт.

Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated ZXMP10A18GTA — це уніполярний компонент з каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD). Пакет містить 10 одиниць у корпусі SOT223.

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
• Максимальна напруга стік-джерело: -100 В
• Струм стоку: -3 А
• Потужність розсіювання: 2 Вт
• Корпус: SOT223, монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-джерело -100 В та струм стоку -3 А. Потужність розсіювання становить 2 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента. Опір у відкритому стані дорівнює 0,15 Ом.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у стандартному корпусі SOT223, який дозволяє використовувати технологію поверхневого монтажу (SMD).

Комплектація

У наборі постачається 10 транзисторів Diodes Incorporated. Напруга затвор-джерело становить ±20 В.