Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZXMN7A11GTA, 70В, 3А, SOT223 (набір 20 шт.)

Набір із 20 транзисторів N-MOSFET від Diodes Incorporated, модель ZXMN7A11GTA. Компоненти у корпусі SOT223 призначені для монтажу на поверхню (SMD) та розраховані на напругу до 70 В і струм до 3 А.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-виток: 70 В
• Максимальний струм стоку: 3 А
• Розсіювана потужність: 2 Вт
• Опір у відкритому стані: 0,19 Ом
• Корпус: SOT223, монтаж SMD
• Кількість у наборі: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Максимальна напруга між стоком та витоком становить 70 В, а допустимий струм стоку — 3 А. Опір у відкритому стані дорівнює 0,19 Ом, що забезпечує ефективне перемикання та мінімальні втрати енергії.

Потужність та монтаж

Розсіювана потужність компонента становить 2 Вт. Транзистори виконані у корпусі SOT223, що дозволяє використовувати їх у пристроях з обмеженою площею друкованої плати. Монтаж здійснюється методом SMD, що спрощує автоматизацію виробництва.

Напруга затвора та надійність перемикання

У пакуванні міститься 20 транзисторів. Такий набір зручний для прототипування або невеликих серійних виробів, де потрібна надійна комутація напруги до 70 В.