Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZXMN6A11DN8TA, 60В, 2,6А, SO8 (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZXMN6A11DN8TA — це подвійний польовий транзистор з ізольованим затвором у корпусі SO8. Комплект із 20 штук призначений для монтажу на поверхню (SMD) у електронних пристроях, що потребують керування струмом до 2,6 А при напрузі 60 В.

• Подвійний N-MOSFET транзистор у корпусі SO8
• Напруга стік-сорс: 60 В
• Струм стіка: 2,6 А
• Розсіювана потужність: 1,25 Вт
• Опір у провідному стані: 0,18 Ом
• Комплект: 20 штук

Компактний корпус для SMD-монтажу

Транзистор виконаний у стандартному корпусі SO8, що забезпечує зручність автоматизованого монтажу на друковані плати. Таке рішення дозволяє економити місце на платі та спрощує процес виробництва електронних модулів.

Електричні параметри та потужність

Пристрій працює з напругою стік-сорс до 60 В та витримує струм стіка 2,6 А. Максимальна розсіювана потужність становить 1,25 Вт, що визначає умови експлуатації та необхідність відведення тепла у навантажених схемах.

Керування та стабільність роботи

Модель ZXMN6A11DN8TA є подвійним транзистором (N-MOSFET x2), що дозволяє керувати двома каналами в одному корпусі. Опір у провідному стані дорівнює 0,18 Ом, що впливає на ефективність роботи та нагрівання при комутації струму.