
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZXMN2A01FTA, SOT23, 20В, 1,9А (40 шт.)
2 340 ₴
- В наявності
- Код: TM037647
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZXMN2A01FTA — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення в корпусі SOT23. Комплект складається з 40 одиниць, призначених для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Максимальна напруга стік-витік: 20 В
- Струм стіка: 1,9 А (постійний), 8 А (імпульсний)
- Розсіювана потужність: 0,625 Вт
- Опір у відкритому стані: 0,12 Ом
- Кількість у комплекті: 40 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 20 В та постійний струм стіка 1,9 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 8 А. Максимальна розсіювана потужність становить 0,625 Вт.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі SOT23. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж). Напруга затвор-витік обмежена ±12 В, а опір у відкритому стані дорівнює 0,12 Ом.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diodes Incorporated |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.625 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1.9 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 120 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 340 ₴
