Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZXMN2A01FTA, SOT23, 20В, 1,9А (40 шт.)

2 340 ₴

  • В наявності
  • Код: TM037647
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZXMN2A01FTA, SOT23, 20В, 1,9А (40 шт.)
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZXMN2A01FTA, SOT23, 20В, 1,9А (40 шт.)В наявності
2 340 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZXMN2A01FTA — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення в корпусі SOT23. Комплект складається з 40 одиниць, призначених для поверхневого монтажу (SMD).

  • Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
  • Корпус: SOT23, монтаж SMD
  • Максимальна напруга стік-витік: 20 В
  • Струм стіка: 1,9 А (постійний), 8 А (імпульсний)
  • Розсіювана потужність: 0,625 Вт
  • Опір у відкритому стані: 0,12 Ом
  • Кількість у комплекті: 40 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 20 В та постійний струм стіка 1,9 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 8 А. Максимальна розсіювана потужність становить 0,625 Вт.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі SOT23. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж). Напруга затвор-витік обмежена ±12 В, а опір у відкритому стані дорівнює 0,12 Ом.

Характеристики
Основні
ВиробникDiodes Incorporated
Максимальна потужність розсіювання0.625 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік12 В
Максимально допустима напруга стік-витік20 В
Максимально допустимий струм стоку1.9 А
Опір у відкритому стані (Rds)120 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті40 шт.
КорпусSOT23
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 340 ₴